Page 34 - 国外钢铁技术信息内参（2024年12月）
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同样，在膜的长大过程中，O 会从溶液向金属方向迁移。因此，氧离子气孔
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（VO ）从金属向溶液侧迁移。VO 的有效电荷为+2。在膜长大的同时，金属离
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子也会从膜表面溶解。金属离子从氧化物中溶解，相当于在膜表面生成 VFe 。 ᇏݓࣁඋ࿐߶
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此 外 ， 溶 液 中 不 存 在 Cl 时 ， VFe 会 与 迁 移 到 膜 表 面 的 VO 结 合 并 消 失
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（Schottky pair formation：肖特基对的生成）。然而，如果存在 Cl ，Cl 将会进
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入膜表面的 VO （有效电荷：+2），抑制 VFe 消失。最终，VFe 在膜内迁移至
金属侧，堆积在金属膜界面并形成空隙。此外，该模型说明，金属的电位越高，
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膜表面的 VO 和 Cl 的相互作用就越强，流入膜内侧的 VFe 就越多。 ᇏݓࣁඋ࿐߶
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图 5 点缺陷模型（PDM）：
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（a） 原子与空隙的迁移，（b） 不含 Cl 的溶液与（c） 含 Cl 的溶液
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膜的开裂机理如图 6 所示，膜在 Cl 的作用下机械性开裂，金属暴露在溶液
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中，这部分形成凹坑。开裂的原因在于膜表面吸附了 Cl ，导致表面张力发生改
变并产生裂纹。还有人提出，随着电位的增加膜逐渐增厚，膜内电位梯度和表
面张力之间的平衡被打破，从而导致机械性开裂。此外，电位的变化也会影响
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CSM 中国金属学会 CMISI 冶金工业信息标准研究院
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